IRF7342PBF
Produktcode: 29394
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRF7342PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7342PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7342PBF | International Rectifier |
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IRF7342PBF | International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
IRF7342PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IRF7342PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7342PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7342PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7342PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7342PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7342PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH




