IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
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Möglichen Substitutionen IRF7342PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF7342TRPBF Produktcode: 31772
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 55 Id,A: 3.4 Rds(on),Om: 0.105 Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 188 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Weitere Produktangebote IRF7342PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
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| IRF7342PBF | Hersteller : International Rectifier |
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF7342PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
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