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IRF7342PBF

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Produktcode: 29394
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
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    IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF
    Produktcode: 31772
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    		IR irf7342pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
    Drain-Strom Id, A: 3,4 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
    Anmerkung: 2P
    Montage: SMD
    auf Bestellung 187 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    1+0.48 EUR
    10+0.43 EUR
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    IRF7342TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
    Drain-Strom Id, A: 3,4 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
    Anmerkung: 2P
    Montage: SMD
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    IRF7342PBF International Rectifier irf7342pbf.pdf HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
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    IRF7342PBF International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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    IRF7342PBF IRF7342PBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
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    IRF7342PBF IRF7342PBF Infineon Technologies Infineon-IRF7342-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
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    IRF7342PBF irf7342pbf.pdf
    Hersteller: International Rectifier
    HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
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    IRF7342PBF irf7342pbf.pdf
    Hersteller: International Rectifier/Infineon
    2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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    IRF7342PBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
    IRF7342PBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
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    IRF7342PBF Infineon-IRF7342-DS-v01_01-EN.pdf
    IRF7342PBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
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