IRF7342PBF
Produktcode: 29394
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar 12 Stück:
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 0.72 EUR |
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Möglichen Substitutionen IRF7342PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF7342TRPBF Produktcode: 31772
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Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 55 Id,A: 3.4 Rds(on),Om: 0.105 Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 213 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| IRF7342PBF | Hersteller : IR |
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7342PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7342PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
Produkt ist nicht verfügbar |