IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
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Möglichen Substitutionen IRF7342TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRF7342PBF Produktcode: 29394
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26 Anmerkung: 2P Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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| IRF7342PBF Produktcode: 29394
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
Weitere Produktangebote IRF7342TRPBF nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 188000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 188000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 74060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
auf Bestellung 38936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7342TRPBF | Infineon |
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF |
IRF7342TRPBF Микросхемы |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.8 EUR |
| 8000+ | 0.75 EUR |
| 12000+ | 0.71 EUR |
| 20000+ | 0.69 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.87 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.87 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 188000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.88 EUR |
| 8000+ | 0.86 EUR |
| 12000+ | 0.82 EUR |
| 20000+ | 0.8 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 188000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.88 EUR |
| 8000+ | 0.83 EUR |
| 12000+ | 0.8 EUR |
| 20000+ | 0.76 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.88 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 1.54 EUR |
| 123+ | 1.39 EUR |
| 146+ | 1.15 EUR |
| 250+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 2.18 EUR |
| 63+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 250+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.26 EUR |
| 121+ | 1.42 EUR |
| 144+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.26 EUR |
| 121+ | 1.38 EUR |
| 144+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.28 EUR |
| 114+ | 1.49 EUR |
| 123+ | 1.31 EUR |
| 146+ | 1.06 EUR |
| 250+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 74060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 2000+ | 0.87 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.45 EUR |
| 116+ | 2.01 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.45 EUR |
| 116+ | 2.01 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
auf Bestellung 38936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2000+ | 1.02 EUR |
| 4000+ | 0.93 EUR |
| IRF7342TRPBF |
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Hersteller: Infineon
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7342TRPBF |
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IRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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| IRF7341TRPBF Produktcode: 25204
1
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 224 St.
- 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 1.15 EUR |
| 470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 14640
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
- 4000 St. - erwartet 06.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.027 EUR |
| 1000+ | 0.019 EUR |
| 10000+ | 0.01 EUR |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD) Produktcode: 17877
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 10 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 10 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
erwartet: 4000 St.
- 4000 St. - erwartet 08.08.2026
auf Bestellung: 520 St.
- 520 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.25 EUR |
| 10+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| IRF7103TRPBF Produktcode: 19112
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 185 St.
- 185 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet) Produktcode: 26311
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Kemet
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
auf Bestellung: 10 St.
- 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |










