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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

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Produktcode: 31772
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung 187 St.:
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IRF7342PBF IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IR irf7342pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
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    IRF7342PBF
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    IRF7342PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
    Drain-Strom Id, A: 3,4 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
    Anmerkung: 2P
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      12000+0.81 EUR
      20000+0.77 EUR
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Configuration: 2 P-Channel (Dual)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Power - Max: 2W
      Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
      FET Feature: Logic Level Gate
      Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
      auf Bestellung 72000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      4000+0.9 EUR
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      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 3500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      500+1.04 EUR
      1000+0.92 EUR
      2000+0.86 EUR
      Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 3500 Stücke:
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      500+1.04 EUR
      1000+0.94 EUR
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      Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 3760 Stücke:
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      114+1.56 EUR
      123+1.42 EUR
      146+1.17 EUR
      250+1.13 EUR
      500+0.93 EUR
      1000+0.82 EUR
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      Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
      Type of transistor: P-MOSFET x2
      Technology: HEXFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -55V
      Drain current: -3.4A
      Power dissipation: 2W
      Case: SO8
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 2950 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      40+2.18 EUR
      63+1.37 EUR
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      2000+0.65 EUR
      Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 786 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      77+2.28 EUR
      121+1.4 EUR
      144+1.13 EUR
      500+0.9 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      121+1.43 EUR
      144+1.18 EUR
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      77+2.31 EUR
      114+1.5 EUR
      123+1.33 EUR
      146+1.07 EUR
      250+1.02 EUR
      500+0.82 EUR
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Configuration: 2 P-Channel (Dual)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Power - Max: 2W
      Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
      FET Feature: Logic Level Gate
      Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
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      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      7+3.44 EUR
      10+2.19 EUR
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      500+1.15 EUR
      1000+1.06 EUR
      2000+0.99 EUR
      Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
      auf Bestellung 38936 Stücke:
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      1+3.58 EUR
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      100+1.54 EUR
      500+1.23 EUR
      1000+1.12 EUR
      2000+1.02 EUR
      4000+0.93 EUR
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      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
      tariffCode: 85412900
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
      MSL: -
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
      Verlustleistung, p-Kanal: 2W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOIC
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 2W
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 6773 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
      tariffCode: 85412900
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
      MSL: -
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
      Verlustleistung, p-Kanal: 2W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOIC
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 2W
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 6773 Stücke:
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      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
      auf Bestellung 95 Stücke:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 4000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4000+0.87 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 4000 Stücke:
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      AnzahlPrivatkunde
      4000+0.87 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 188000 Stücke:
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      4000+0.88 EUR
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      12000+0.83 EUR
      20000+0.81 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 188000 Stücke:
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      4000+0.89 EUR
      8000+0.84 EUR
      12000+0.81 EUR
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      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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      IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Configuration: 2 P-Channel (Dual)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Power - Max: 2W
      Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
      FET Feature: Logic Level Gate
      Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
      auf Bestellung 72000 Stücke:
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      AnzahlPrivatkunde
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      12000+0.81 EUR
      20000+0.8 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 3500 Stücke:
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      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 3500 Stücke:
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      AnzahlPrivatkunde
      500+1.04 EUR
      1000+0.94 EUR
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      Mindestbestellmenge: 500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7342TRPBF irf7342.pdf
      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: Multi channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
      Type of transistor: P-MOSFET x2
      Technology: HEXFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -55V
      Drain current: -3.4A
      Power dissipation: 2W
      Case: SO8
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel
      Kind of channel: enhancement
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Configuration: 2 P-Channel (Dual)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Power - Max: 2W
      Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
      FET Feature: Logic Level Gate
      Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: INFINEON
      Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
      tariffCode: 85412900
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
      MSL: -
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
      Verlustleistung, p-Kanal: 2W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOIC
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 2W
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      IRF7342TRPBF
      Hersteller: INFINEON
      Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
      tariffCode: 85412900
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
      MSL: -
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
      Verlustleistung, p-Kanal: 2W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOIC
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: p-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 2W
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      IRF7342TRPBF Микросхемы
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      IRF7341TRPBF
      Produktcode: 25204
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      		description IRF7341.pdf
      IRF7341TRPBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: SO-8
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
      Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
      Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
      Montage: SMD
      auf Bestellung 226 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
      Produktcode: 14640
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      		X7R_X5R.pdf
      470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
      Kapazität: 470 pF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: X7R
      Präzision: ±5% J
      Größentyp: 0805
      HS-Code: 8532 24 00 00
      auf Bestellung 32 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      erwartet 4000 St.:
      4000 St. - erwartet
      AnzahlPrivatkunde
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      1000+0.012 EUR
      10000+0.01 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
      Produktcode: 17877
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		taj-776811-datasheet.pdf
      47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
      Hersteller: AVX
      Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
      Kapazität: 47 µF
      Nennspannung: 10 V
      Toleranz: ±10%
      Größentyp: Size-B
      Zolltarifnummer: 8532210000
      auf Bestellung 3195 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
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      100+0.13 EUR
      1000+0.11 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
      Produktcode: 26311
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      		Datasheet-T491D226K035AT.pdf
      22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
      Hersteller: Kemet
      Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
      Kapazität: 22 µF
      Nennspannung: 35 V
      Toleranz: ±20%
      Größentyp: Size-D
      Zolltarifnummer: 8532210000
      auf Bestellung 1242 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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      1000+0.4 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      SN74HCT573DW
      Produktcode: 30081
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      		suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hct573
      SN74HCT573DW
      Hersteller: TI
      IC > IC Logik
      Gehäuse: SOIC-20
      Beschreibung: Latches 3-State Oktal-D-Typ
      Montage: SMD (Oberflächenmontage)
      Versorgung, V: 4,5...5,5 V
      Temperatur, °C: -40...+85°C
      Logikgatter-Typ: D-Latch
      auf Bestellung 43 St.:
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      AnzahlPrivatkunde
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      10+0.35 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH