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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

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Produktcode: 31772
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 150 St.
  • 150 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7342PBF IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IR irf7342pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
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IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IRF7342PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.8 EUR
12000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
134+1.29 EUR
149+1.13 EUR
250+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
63+1.37 EUR
100+0.96 EUR
250+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
104+1.62 EUR
134+1.21 EUR
149+1.05 EUR
250+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.56 EUR
99+1.7 EUR
127+1.27 EUR
141+1.11 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.56 EUR
99+1.74 EUR
127+1.32 EUR
141+1.17 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
auf Bestellung 36659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 73262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
99+2.37 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.77 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.77 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.8 EUR
12000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.68 EUR
134+1.29 EUR
149+1.13 EUR
250+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+2.18 EUR
63+1.37 EUR
100+0.96 EUR
250+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF 2333691.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.44 EUR
104+1.62 EUR
134+1.21 EUR
149+1.05 EUR
250+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.56 EUR
99+1.7 EUR
127+1.27 EUR
141+1.11 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.56 EUR
99+1.74 EUR
127+1.32 EUR
141+1.17 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
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IRF7342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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62+4.05 EUR
99+2.37 EUR
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1000+1.21 EUR
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IRF7342TRPBF Микросхемы
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Hersteller: Infineon
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
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IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 203 St.
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1+1.3 EUR
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470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 14640
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X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 06.10.2026
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10+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Produktcode: 17877
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taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 10 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
auf Bestellung: 4351 St.
  • 4351 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.21 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 179 St.
  • 179 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.29 EUR
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22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Produktcode: 26311
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Datasheet-T491D226K035AT.pdf
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Hersteller: Kemet
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.63 EUR
100+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH