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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 31772
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 205 Stück:
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IRF7342PBF IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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Hersteller : IR irf7342pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 292000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+0.65 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.69 EUR
8000+0.66 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.86 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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500+0.86 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
63+1.14 EUR
74+0.97 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
auf Bestellung 14742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
10+1.59 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.8 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 21187 Stücke:
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11+1.67 EUR
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1000+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 265 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
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IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 249 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
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1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1222
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X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 8012 Stück
1200 Stück - stock Köln
6812 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0059 EUR
10000+0.0038 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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WH-2R (WH-02R, WF-02R, CI3102P1H00, NS25-W2K, WF-2R) (Stecker auf Platte)
Produktcode: 1707
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WH-2R (WH-02R, WF-02R, CI3102P1H00, NS25-W2K, WF-2R) (Stecker auf Platte)
Hersteller: CviLux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Stecker auf Platte mit Klammer, rechter Winkel, 2 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, 250VAC
Stecker/Buchse: Stecker (Stecker)
Anzahl Kontakte: 2
2,54 mm
Серія роз’єма: WH
Монтаж: на плату
№ 7: 8536 69 30 00
verfügbar: 500 Stück
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Produktcode: 17877
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taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 1932 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.16 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH