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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Produktcode: 19112
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 243 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
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Technische Details IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.4 EUR
8000+0.37 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.4 EUR
8000+0.3 EUR
12000+0.29 EUR
20000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.4 EUR
8000+0.31 EUR
12000+0.29 EUR
20000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
234+0.62 EUR
297+0.47 EUR
299+0.45 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 234
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 190
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.77 EUR
233+0.6 EUR
234+0.58 EUR
297+0.44 EUR
299+0.42 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
79+0.91 EUR
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
79+0.91 EUR
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7103-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.47 EUR
10+0.93 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.67 EUR
17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 178540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 178540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7306
Produktcode: 3760
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description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
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10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948
Produktcode: 100660
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nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
/: SMD
auf Bestellung 65 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ESDA6V1L
Produktcode: 424
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d3e7f58934789r3.pdf
ESDA6V1L
Hersteller: MCC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SOT-23
P, Wt: 300
U Durchbruch: 6,65 V
n: 5,25 V
n: 20 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: SMD
№ 8: 8541100090
auf Bestellung 799 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
100+0.072 EUR
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330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 270 Stück
250 Stück - stock Köln
20 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.05 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TNY280PN
Produktcode: 24038
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tny274-280-4065 (1).pdf
TNY280PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching
Spannung, eing., V: 50...700V
I-ausg., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 175 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.44 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH