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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Produktcode: 19112
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 225 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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1000+0.24 EUR
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Technische Details IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.45 EUR
12000+0.42 EUR
20000+0.37 EUR
28000+0.36 EUR
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.41 EUR
20000+0.35 EUR
28000+0.33 EUR
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.51 EUR
8000+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.06 EUR
195+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.37 EUR
20000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 4148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
78+0.92 EUR
92+0.78 EUR
114+0.63 EUR
155+0.46 EUR
188+0.38 EUR
215+0.33 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 19049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 175281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 175281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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AnzahlPreis
4000+0.48 EUR
8000+0.45 EUR
12000+0.42 EUR
20000+0.37 EUR
28000+0.36 EUR
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IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
500+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
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195+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.37 EUR
20000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 4148 Stücke:
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AnzahlPreis
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78+0.92 EUR
92+0.78 EUR
114+0.63 EUR
155+0.46 EUR
188+0.38 EUR
215+0.33 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
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IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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14+1.32 EUR
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500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 175281 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 175281 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS9948
Produktcode: 100660
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NDS9948
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
/: SMD
auf Bestellung 47 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306
Produktcode: 3760
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description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDA6V1L
Produktcode: 424
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d3e7f58934789r3.pdf
ESDA6V1L
Hersteller: MCC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SOT-23
P, Wt: 300
U Durchbruch: 6,65 V
n: 5,25 V
n: 20 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: SMD
№ 8: 8541100090
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
100+0.072 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
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TNY280PN
Produktcode: 24038
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TNY280PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching
Spannung, eing., V: 50...700V
I-ausg., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
№ 8: 8542 39 90 00
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