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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Produktcode: 19112
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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216+ 0.65 EUR
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
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2000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 206099 Stücke:
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16000 Stücke:
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 148000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
auf Bestellung 87 Stücke:
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772		 irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 100 Stück
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.4 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.3 EUR
NDS9948
Produktcode: 100660		 nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
auf Bestellung 77 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Produktcode: 72199
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 15369 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 16351		 X7R_X5R.pdf
33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 33nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
Produkt ist nicht verfügbar
P6KE27A
Produktcode: 29918		 p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Hersteller: MIC/Sunmate
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 746 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)