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IRF7103TRPBF

Name: IRF7103TRPBF
Brand: IR
SKU: 19112
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6

Produktcode: 19112

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD

auf Bestellung 129 Stück:

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1+	0.30 EUR
10+	0.28 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR

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Technische Details IRF7103TRPBF IR

MOSFET
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:Dual N Channel
Drain Source Voltage, Vds:50V
Continuous Drain Current, Id:3A
On Resistance, Rds(on):130mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
Package/Case:8-SOIC

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 8000 Stücke:

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4000+	0.40 EUR
8000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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IRF7103TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4066 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
63+	1.15 EUR
97+	0.74 EUR
274+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR

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IRF7103TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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97+	0.74 EUR
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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf

MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A

auf Bestellung 28058 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.56 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.48 EUR
4000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

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17+	1.09 EUR
100+	0.71 EUR
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IRF7103TRPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7103TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 193669 Stücke:

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7103TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7103TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

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Id,A: 3.4
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Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD

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P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
№ 6: 8541100090

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10+	0.03 EUR
100+	0.03 EUR
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD

auf Bestellung 148 Stück:

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