Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Produktcode: 19112
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 265 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Weitere Produktangebote IRF7103TRPBF nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.39 EUR
8000+0.37 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
212+0.68 EUR
279+0.5 EUR
281+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.88 EUR
211+0.66 EUR
212+0.63 EUR
279+0.46 EUR
281+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 39933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.94 EUR
211+0.66 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7103-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.47 EUR
10+0.93 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 19063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 180615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 180615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 205 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.36 EUR
100+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948
Produktcode: 100660
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
/: SMD
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE27A
Produktcode: 29918
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Hersteller: MIC/Sunmate
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 390 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C6V8
Produktcode: 30129
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BZV55.pdf
BZV55-C6V8
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 1862 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF
Produktcode: 36562
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH