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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Produktcode: 19112
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 189 St.
  • 189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.29 EUR
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Technische Details IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.38 EUR
20000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.37 EUR
20000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 15588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.43 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.37 EUR
40000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
12000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
78+1.09 EUR
92+0.93 EUR
114+0.75 EUR
155+0.55 EUR
188+0.45 EUR
215+0.39 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
167+1.01 EUR
242+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.33 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
167+1.02 EUR
242+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.38 EUR
8000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 174736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 174736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 19334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.44 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.38 EUR
20000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.44 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.37 EUR
20000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 15588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.51 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.43 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.37 EUR
40000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.65 EUR
12000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.31 EUR
78+1.09 EUR
92+0.93 EUR
114+0.75 EUR
155+0.55 EUR
188+0.45 EUR
215+0.39 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+1.52 EUR
167+1.01 EUR
242+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.33 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 35905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+1.52 EUR
167+1.02 EUR
242+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
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8000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 174736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
138+1.81 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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NDS9948
Produktcode: 100660
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nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 250 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 394/9
Montage: SMD
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IRF7306
Produktcode: 3760
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description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/25
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
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IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
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irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
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  • 157 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.95 EUR
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ESDA6V1L
Produktcode: 424
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d3e7f58934789r3.pdf
ESDA6V1L
Hersteller: MCC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SOT-23
Spitzenleistung, P, W: 300 W
Durchbruchspannung, Vbr: 6,65 В
Sperrspannung, Vrm: 5,25 В
Leckstrom, Irm: 20 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: SMD
Zolltarifnummer: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
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330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 11 St.
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10+0.082 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.055 EUR
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