Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > NDS9948
NDS9948

NDS9948

nds9948-1011724.pdf
Produktcode: 100660
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
/: SMD
auf Bestellung 47 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote NDS9948 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.44 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1175+0.47 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
10000+0.48 EUR
15000+0.44 EUR
20000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf MOSFETs Dual PCh PowerTrench
auf Bestellung 14548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+0.8 EUR
100+0.56 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.44 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1175+0.47 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.54 EUR
10000+0.48 EUR
15000+0.44 EUR
20000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
auf Bestellung 14548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.65 EUR
10+0.8 EUR
100+0.56 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+1.83 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 225 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 1995 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30000 St.:
30000 St. - erwartet
AnzahlPreis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMLL4148
Produktcode: 1294
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
PMLL4148, PMLL4448.pdf
PMLL4148
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.012 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2168
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 68 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 9716 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 10934
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
20 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 20 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1150 St.
    erwartet: 10000 St.
    • 10000 St. - erwartet
    AnzahlPreis
    10+0.42 EUR
    100+0.036 EUR
    1000+0.0028 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH