Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > NDS9948 Fairchild
NDS9948

NDS9948 Fairchild

nds9948-1011724.pdf
Produktcode: 100660
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 250 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 394/9
Montage: SMD
auf Bestellung: 47 St.
  • 47 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.7 EUR
100+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote NDS9948 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1119+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ONSEMI NDS9948.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
78+1.09 EUR
88+0.98 EUR
117+0.73 EUR
134+0.64 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf MOSFETs Dual PCh PowerTrench
auf Bestellung 3671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.29 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.31 EUR
182+1.27 EUR
260+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.31 EUR
182+1.27 EUR
260+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1119+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 NDS9948.pdf
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+1.46 EUR
78+1.09 EUR
88+0.98 EUR
117+0.73 EUR
134+0.64 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
auf Bestellung 3671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.29 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.31 EUR
182+1.27 EUR
260+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.31 EUR
182+1.27 EUR
260+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 189 St.
  • 189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 17832
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 80 St.
  • 80 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2168
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 68 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 9716 St.
  • 9716 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uH 20% (RCH895NP-100M Sumida) (Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm) (Drossel Leistungs)
Produktcode: 41390
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RCH-895.pdf
10uH 20% (RCH895NP-100M Sumida) (Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm) (Drossel Leistungs)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 10 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs, drahtgewickelt auf Ferrit Trommelkern, 10uH±20%, Idc=2.6A, Rdc max=0.04 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Radial
Abmessungen: d=8,3 mm; h=9,5 mm
Betriebsstrom, A: 2 А
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
auf Bestellung: 230 St.
  • 230 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.94 EUR
10+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847,215 (SOT-23, Nexpreria)
Produktcode: 99908
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BC847,215 (SOT-23, Nexpreria)
Hersteller: Nexpreria
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 1334 St.
  • 1334 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH