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IRF7306


Hersteller: IR
SO-8
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Technische Details IRF7306 IR

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld, Gehäuse: SO-8, Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V, Drain-Strom Id, A: 4 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/25, Anmerkung: 2P, Montage: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7306 IRF7306
Produktcode: 3760
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IR irf7306.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/25
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
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IRF7306
Produktcode: 3760
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description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/25
Anmerkung: 2P
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