IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
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Technische Details IRF7341TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transist
Weitere Produktangebote IRF7341TRPBF nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 29063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.56 EUR |
| 8000+ | 0.52 EUR |
| 12000+ | 0.51 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.61 EUR |
| 8000+ | 0.57 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.61 EUR |
| 8000+ | 0.56 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 1.71 EUR |
| 108+ | 1.61 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 1.96 EUR |
| 131+ | 1.3 EUR |
| 189+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 1.96 EUR |
| 131+ | 1.32 EUR |
| 189+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| IRF7341TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 29063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.24 EUR |
| 15+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
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| IRF7342TRPBF Produktcode: 31772
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung 157 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0) Produktcode: 126054
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Hersteller: TE Connectivity
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 1C; USpule: 12V; I-Schalt: 8A
Abmessungen: 28,6x10x15 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 8 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 30 VDC
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 1C; USpule: 12V; I-Schalt: 8A
Abmessungen: 28,6x10x15 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 8 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 30 VDC
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.04 EUR |
| 10+ | 6.5 EUR |
| 100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 180530
2
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Hersteller: Leaguer
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 В
Reihe: RTZ
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 В
Reihe: RTZ
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
auf Bestellung 453 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.098 EUR |
| 22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet) Produktcode: 26311
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Kemet
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
auf Bestellung 1237 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| Entlötpumpe mit Heizer YIHUA 929D-V 30W Produktcode: 176732
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Entlötpumpe
Beschreibung: Entlötpumpe mit Spitze zum Erhitzen und anschließenden Entfernen von Lot.
220 V
30 W
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Entlötpumpe
Beschreibung: Entlötpumpe mit Spitze zum Erhitzen und anschließenden Entfernen von Lot.
220 V
30 W
verfügbar: 266 St.
- 39 St. - stock Köln
- 227 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 240 St.
- 120 St. - erwartet 07.10.2026
- 120 St. - erwartet 02.12.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.88 EUR |
| 10+ | 14.27 EUR |
| 100+ | 12.5 EUR |














