Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF


IRF7341.pdf
Produktcode: 25204
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 209 St.
  • 209 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.3 EUR
10+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7341TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Weitere Produktangebote IRF7341TRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.55 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
279+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf7342pbf-datasheet.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 130 St.
  • 130 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.18 EUR
10+1.06 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Produktcode: 126054
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
msr_v23061-datasheet.pdf
Hersteller: TE Connectivity
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 1C; USpule: 12V; I-Schalt: 8A
Abmessungen: 28,6x10x15 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 8 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 30 VDC
auf Bestellung: 34 St.
  • 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.04 EUR
10+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 180530
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
leaguer-rts_series-datasheet.pdf
Hersteller: Leaguer
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 В
Reihe: RTZ
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
auf Bestellung: 944 St.
  • 944 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
11+0.11 EUR
100+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Produktcode: 26311
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Datasheet-T491D226K035AT.pdf
Hersteller: Kemet
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
auf Bestellung: 892 St.
  • 892 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.68 EUR
10+0.63 EUR
100+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Entlötpumpe mit Heizer YIHUA 929D-V 30W
Produktcode: 176732
21 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Entlötpumpe
Beschreibung: Entlötpumpe mit Spitze zum Erhitzen und anschließenden Entfernen von Lot.
220 V
30 W
verfügbar: 49 St.
  • 49 St. - stock Köln
erwartet: 130 St.
  • 120 St. - erwartet 05.02.2027
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 237 St.
  • 237 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.88 EUR
10+14.27 EUR
100+12.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH