IRF7341TRPBF

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Produktcode: 25204

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD

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Technische Details IRF7341TRPBF IR

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R	auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 98+ 1.63 EUR 102+  1.5 EUR 250+  1.39 EUR 500+  1.28 EUR 1000+  1.19 EUR Mindestbestellmenge: 98 kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A	auf Bestellung 31716 Stücke: Lieferzeit 518-532 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 20+ 2.63 EUR 25+  2.16 EUR 100+  1.68 EUR 500+  1.42 EUR 1000+  1.16 EUR 2000+  1.09 EUR 4000+  1.03 EUR Mindestbestellmenge: 20 kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : International Rectifier Corporation	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8	auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7341TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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470 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3310

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805

auf Bestellung 21755 Stück:

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100+	0.0024 EUR
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SMAJ5.0A Produktcode: 25658

Hersteller: Littelfuse
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
P, Wt: 400 W
U Durchbruch: 6,4 V
n: 5 V
n: 800 µA
n: Односпрямований
Монтаж: SMD

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1+	0.08 EUR

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IRF7342TRPBF Produktcode: 31772

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD

verfügbar: 100 Stück

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10+	0.36 EUR
100+	0.3 EUR

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544

Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805

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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 2245

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000

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