IRF7401PBF
Produktcode: 47551
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/48
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRF7401PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7401PBF | International Rectifier |
HEXFET SO-8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRF7401PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRF7401PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7401PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7401PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
HEXFET SO-8 Транзистори
HEXFET SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7401PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7401PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7401PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH