Technische Details IRF7406PBF
- MOSFET, P, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-30V
- Cont Current Id:5.2A
- On State Resistance:0.045ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:b
- Pin Format:1 S
- 2 S
- 3 S
- 4 G
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- Power Dissipation:1.6W
- Power Dissipation Pd:1.6W
- Pulse Current Idm:20A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7406
- Transistor Case Style:SOIC
Weitere Produktangebote IRF7406PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7406PBF | International Rectifier/Infineon |
  P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 147 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7406PBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 147 Stücke: