IRF740

IRF740

Produktcode: 18286
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55

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Technische Details IRF740

Möglichen Substitutionen

IRF740PBF
IRF740PBF
Produktcode: 24032
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
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Preis IRF740 ab 2.29 EUR bis 2.29 EUR

IRF740
Hersteller: VISHAY
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55? Trans. IRF740 TO220 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF740
Hersteller: VISHAY
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55? Trans. IRF740 TO220 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 500 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+ 2.29 EUR
IRF740
IRF740
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740
IRF740
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF740PBF
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IRF740
IRF740
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 400 Volt 10 Amp
stmicroelectronics_cd00010722-1205560.pdf
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IRF740
IRF740
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Packaging: Tube
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IRF740
IRF740
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
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