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Technische Details IRF740ASPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF740ASPBF nach Preis ab 1.20 EUR bis 4.26 EUR
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRF740ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF740ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube |
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp |
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IRF740ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRF740ASPBF Produktcode: 172391
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-263 Uds,V: 400 V Idd,A: 6,3 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1030/36 JHGF: SMD |
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRF740ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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