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IRF7413ZTRPBF

IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
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Technische Details IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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164+0.90 EUR
207+0.69 EUR
209+0.66 EUR
280+0.47 EUR
297+0.43 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.18 EUR
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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163+0.91 EUR
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290+0.47 EUR
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
102+0.70 EUR
135+0.53 EUR
220+0.33 EUR
232+0.31 EUR
2000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
auf Bestellung 1701 Stücke:
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
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21+0.85 EUR
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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auf Bestellung 8000 Stücke:
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