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IRF7424TRPBF

IRF7424TRPBF Infineon Technologies

irf7424.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7424TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7424_DataSheet_v01_01_EN-3363230.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
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13+1.4 EUR
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1000+0.75 EUR
2000+0.68 EUR
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26430 Stücke:
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7424TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2F20A319EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7424pbf.pdf?ci_sign=2acda5302fc942a596720f26cd0040453e140573 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2F20A319EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7424pbf.pdf?ci_sign=2acda5302fc942a596720f26cd0040453e140573 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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