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IRF7425TRPBF

IRF7425TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7425-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7425TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7425-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7425_DataSheet_v01_01_EN-3362873.pdf MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC
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25+1.36 EUR
100+1.05 EUR
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1000+0.85 EUR
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Produktcode: 172358
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 8
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7425-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7425-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7425-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
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