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IRF7433PBF

Produktcode: 172872

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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 8,9 A
Rds(on),Om: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
Gebr.: Ultra Low On-Resistance
/: SMD

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Technische Details IRF7433PBF IR

MOSFET, P, SO-8
Transistor Polarity:P
Max Current Id:-8.9A
Max Voltage Vds:12V
On State Resistance:0.024ohm
Rds Measurement Voltage:-4.5V
Max Voltage Vgs:-8V
Power Dissipation:2.5W
Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
Transistor Case Style:SOIC
No. of Pins:8
SVHC:No SVHC
Case Style:SOIC
Cont Current Id:8.7A
Current Temperature:25`C
External Depth:5.2mm
External Length / Height:1.75mm
External Width:4.05mm
Full Power Rating Temperature:25`C
Power Dissipation Pd:2.5W
Pulse Current Idm:36A
SMD Marking:F7433
Termination Type:SMD
Transistor Type:MOSFET
Typ Voltage Vds:-12V
Typ Voltage Vgs th:-0.9V
Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

Möglichen Substitutionen IRF7433PBF IR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF7433TRPBF Produktcode: 190632 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	VBSEMI	Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 8,9 A Rds(on),Om: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20 /: SMD	auf Bestellung 71 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7433TRPBF
Produktcode: 190632

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Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 8,9 A
Rds(on),Om: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
/: SMD

auf Bestellung 71 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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Weitere Produktangebote IRF7433PBF

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRF7433PBF	International Rectifier	Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7433PBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7433PBF	Infineon Technologies	MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7433PBF

Hersteller: International Rectifier
Транзистори

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IRF7433PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube

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IRF7433PBF

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC

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