IRF7451TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF7451TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7451TRPBF nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.46 EUR
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7451TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 |
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