IRF7465TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRF7465TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 1.9A, Case: SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IRF7465TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 0.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| IRF7465TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SO |
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| IRF7465TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IRF7465TRPBFXTMA1 |
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| IRF7465TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
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| IRF7465TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
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| IRF7465TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.9A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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