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IRF7469TRPBF

IRF7469TRPBF Infineon Technologies

irf7469.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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Technische Details IRF7469TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Infineon Technologies IRF7469TRPBF.PDF Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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658+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Infineon Technologies IRF7469TRPBF.PDF MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
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4000+0.71 EUR
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Infineon Technologies IRF7469TRPBF.PDF Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
auf Bestellung 7614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
50+1.15 EUR
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
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100+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
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IRF7469TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.6 EUR
8000+0.55 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+0.61 EUR
292+0.58 EUR
297+0.57 EUR
298+0.55 EUR
500+0.51 EUR
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IRF7469TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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IRF7469TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+0.67 EUR
289+0.58 EUR
292+0.56 EUR
297+0.52 EUR
298+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11148 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
658+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7600 Stücke:
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auf Bestellung 12000 Stücke:
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MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.82 EUR
10+1.17 EUR
100+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
4000+0.71 EUR
8000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7469TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
auf Bestellung 7614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF7469TRPBF INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7469TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7469TRPBF INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7469TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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