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IRF7473


Hersteller: IR
SO-8
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Technische Details IRF7473 IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SO-8, Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V, Drain-Strom Idd, A: 6,9 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/61, Bemerkung: -, Montage: SMD.

Weitere Produktangebote IRF7473 nach Preis ab 1.61 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7473 International Rectifier description Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.31 EUR
106+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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IRF7473 description
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
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