Weitere Produktangebote IRF7494PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7494PBF | International Rectifier |
 MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IRF7494PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF7494PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V |
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| IRF7494PBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Транзистори
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Транзистори
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| IRF7494PBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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| IRF7494PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
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