
IRF7726TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7726TRPBF Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7A, Power dissipation: 1.79W, Case: SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7726TRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
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IRF7726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7726TRPBF Produktcode: 60841
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IRF7726TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.79W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7726TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.79W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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