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IRF7748L1TRPBF

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Produktcode: 130779
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF Infineon / IR Infineon_IRF7748L1_DataSheet_v01_01_EN-1732661.pdf MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DirectFET L6
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Produktpalette: HEXFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
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IRF7748L1TRPBF Infineon_IRF7748L1_DataSheet_v01_01_EN-1732661.pdf
IRF7748L1TRPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
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IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
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