IRF7805PBF
Produktcode: 79757
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /22
JHGF: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7805PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:13A
- On State Resistance:0.011ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:100A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF7805PBF
- Transistor Case Style:SOIC
Weitere Produktangebote IRF7805PBF nach Preis ab 0.78 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|||||||
 |
IRF7805PBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805PBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| IRF7805PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube |
auf Bestellung 8414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
| IRF7805PBF | Hersteller : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
 |
IRF7805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |