IRF7811AVPBF
Produktcode: 71910
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.014
Bem.: Verschlusse, Qg: 17 nC
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7811AVPBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:10.8A
- On State Resistance:0.011ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- No. of Transistors:1
- Pin Format:1 S
- 2 S
- 3 S
- 4 G
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:10.8A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF7811AVPBF
- Transistor Case Style:SOIC
Weitere Produktangebote IRF7811AVPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7811AVPBF | International Rectifier/Infineon |
 P-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 55 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7811AVPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 55 Stücke: