Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7811AVTRPBF

IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote IRF7811AVTRPBF

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRF7811AVTRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7811AVTRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 10.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7811AVTRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7811AVTRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7811AVTRPBF	Hersteller : Infineon / IR	MOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH