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IRF7842TRPBF

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Produktcode: 113287
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF7842TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:40V
  • Continuous Drain Current, Id:18A
  • On Resistance, Rds(on):5.9mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
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96+1.82 EUR
101+1.71 EUR
132+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
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95+1.84 EUR
126+1.36 EUR
200+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
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66+2.67 EUR
96+1.76 EUR
101+1.62 EUR
132+1.18 EUR
250+1.13 EUR
500+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
auf Bestellung 4441 Stücke:
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2+3.08 EUR
10+2.01 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.51 EUR
50+1.89 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
83+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2100 Stücke
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IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.86 EUR
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IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+1.82 EUR
101+1.71 EUR
132+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
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95+1.84 EUR
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IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
250+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
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IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.67 EUR
96+1.76 EUR
101+1.62 EUR
132+1.18 EUR
250+1.13 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.01 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
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500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF7842TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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