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IRF7854TRPBF

IRF7854TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7854-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7854TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7854-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7854-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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186+0.95 EUR
189+0.92 EUR
192+0.88 EUR
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500+0.82 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7854-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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183+0.96 EUR
186+0.92 EUR
189+0.87 EUR
192+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7854-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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174+1 EUR
176+0.96 EUR
200+0.94 EUR
1000+0.92 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies irf7854pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c559a1d29 Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.05 EUR
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4000+1.34 EUR
160000+1.2 EUR
240000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7854_DataSheet_v01_01_EN-3362876.pdf MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
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2+1.84 EUR
10+1.54 EUR
100+1.34 EUR
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1000+1.19 EUR
2000+1.15 EUR
4000+1.14 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF INFINEON IRSDS17121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
250+1.57 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF INFINEON IRSDS17121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
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65+3.84 EUR
100+2.34 EUR
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IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies irf7854pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c559a1d29 Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
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5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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186+0.95 EUR
189+0.92 EUR
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500+0.82 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
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auf Bestellung 316000 Stücke:
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4000+1.34 EUR
160000+1.2 EUR
240000+1.09 EUR
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MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
auf Bestellung 4754 Stücke:
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2+1.84 EUR
10+1.54 EUR
100+1.34 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.15 EUR
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7854TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.34 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7854TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
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65+3.84 EUR
100+2.34 EUR
250+1.57 EUR
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Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
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