IRF7862TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7862TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7862TRPBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg |
auf Bestellung 4806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7862TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
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| IRF7862TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7862TRPBF SMD N channel transistors |
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