IRF7905TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF7905TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF7905TRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IRF7905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7905TRPBF | Hersteller : IOR |
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auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF7905TRPBF | Hersteller : IOR |
09+ |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF7905TRPBF | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7905TRPBF Produktcode: 111317
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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IRF7905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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