IRF8113TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF8113TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm.
Weitere Produktangebote IRF8113TRPBF nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 135A Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.8A On-state resistance: 5.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8113TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 135A Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.8A On-state resistance: 5.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar |
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