
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
98+ | 1.53 EUR |
104+ | 1.40 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF820ASPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF820ASPBF nach Preis ab 0.70 EUR bis 2.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IRF820ASPBF | Hersteller : IR |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF820ASPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |