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IRF830 JSMicro Semiconductor

IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
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Technische Details IRF830 JSMicro Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.

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IRF830PBF IRF830PBF
Produktcode: 163342
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Hersteller : Siliconix irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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IRF830 Hersteller : Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
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IRF830 IRF830
Produktcode: 17846
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Hersteller : IR IRF830.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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IRF830 IRF830 Hersteller : Vishay sihf830.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830 IRF830 Hersteller : STMicroelectronics 562cd00001546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830 IRF830 Hersteller : STMicroelectronics IRF830.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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IRF830 IRF830 Hersteller : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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IRF830 IRF830 Hersteller : Harris Corporation HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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IRF830 IRF830 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001546.pdf MOSFETs
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IRF830 IRF830 Hersteller : Vishay / Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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IRF830 IRF830 Hersteller : onsemi / Fairchild IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs
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