IRF830
Produktcode: 17846
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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Technische Details IRF830 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:4.5A
- On State Resistance:1.5ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:500V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:75W
- Power Dissipation Pd:75W
- Pulse Current Idm:18A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Möglichen Substitutionen IRF830 IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF830PBF Produktcode: 163342
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 JHGF: THT |
auf Bestellung 42 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF830 nach Preis ab 1.03 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF830 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830 | Hersteller : Vishay |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF830 |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF830 | Hersteller : STM |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.35Ом, 100Вт, TO-220 (PowerMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF830 | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF830 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF830 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF830 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
Produkt ist nicht verfügbar |