IRF830 (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRF830

IRF830

Produktcode: 17846
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
IRF830.pdf
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Technische Details IRF830

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.5A
  • On State Resistance:1.5ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:500V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:75W
  • Power Dissipation Pd:75W
  • Pulse Current Idm:18A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Preis IRF830 ab 1.24 EUR bis 3.35 EUR

IRF830
Hersteller: JSMICRO
(polish version) Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Trans. IRF830 TO220 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+ 1.24 EUR
IRF830
Hersteller: SILI
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5? Trans. IRF830 TO220 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+ 1.87 EUR
IRF830
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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224+ 3.35 EUR
IRF830
IRF830
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830
IRF830
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830
Hersteller:
IRF830
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IRF830
IRF830
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET
stmicroelectronics_cd00001546-1204733.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
IRF830
IRF830
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF830PBF
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IRF830
IRF830
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF830
IRF830
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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IRF830
IRF830
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
18941 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
4N35
Produktcode: 2416		 4n35.pdf
4N35
Hersteller: LTN
IC - Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Fototransistor Optokoppler
U-isol, kV: 3.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 30
Ton/Toff, µs: 7/7
№ 8: 8541 10 00 90
479 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 26740 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.29 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.19 EUR
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804		 техническая информация UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
705 Stück - stock Köln
3727 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.5 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.2 EUR
BZX79-C10
Produktcode: 24002		 BZX79.pdf
BZX79-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 0,04
Pmax: 0,4
3943 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR