IRF830 JSMicro Semiconductor
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF830 JSMicro Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.
Möglichen Substitutionen IRF830 JSMicro Semiconductor
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
IRF830PBF Produktcode: 163342 |
Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 JHGF: THT |
auf Bestellung 29 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF830 nach Preis ab 1.59 EUR bis 1.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF830 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||
IRF830 Produktcode: 17846 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 5 Rds(on), Ohm: 01.04.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||
IRF830 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
IRF830 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |