Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF830PBF Siliconix
IRF830PBF

IRF830PBF Siliconix

irl620.pdf
Produktcode: 163342
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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IRF830 IRF830
Produktcode: 17846
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Hersteller : IR IRF830.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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5000+0.74 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
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5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF830PBF Hersteller : Vishay/IR irl620.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Infineon Technologies 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Infineon Technologies irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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HEF40106BT
Produktcode: 19222
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HEF40106B-86738.pdf
HEF40106BT
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: 6 Trigger Schmitt TL2 -40/+85 3-15V
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 4,5…15V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
auf Bestellung 204 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.18 EUR
10+0.17 EUR
100+0.13 EUR
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HEF4093BT.653
Produktcode: 37346
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hef4093b-353176.pdf
HEF4093BT.653
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
auf Bestellung 175 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.13 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 81941 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 6000 Stück:
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RL207
Produktcode: 86452
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RL201-207%20N0559%20REV.A.pdf
RL207
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-15
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 4151 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
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KBP210 (диодный мост)
Produktcode: 172118
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KBP210.pdf
KBP210 (диодный мост)
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000 V
I dir: 2 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KPB210G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP154G, KBP155G, KBP156G, KBP157G, KBP101G, KBP102G, KBP103G, KBP104G, KBP105G, KBP106G, KBP107G, KBP005G, KBP01G,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 60 A
auf Bestellung 1737 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
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