
IRF830PBF Siliconix

Produktcode: 163342
Hersteller: SiliconixUds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 37 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 29.06.2025
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IRF830 Produktcode: 17846
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 5 Rds(on), Ohm: 01.04.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 JHGF: THT |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 8821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay/IR |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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IRF830PBF | Hersteller : Vishay |
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IRF830PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF830PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF830PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
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IRF830PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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HEF40106BT Produktcode: 19222
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Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: 6 Trigger Schmitt TL2 -40/+85 3-15V
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 4,5…15V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: 6 Trigger Schmitt TL2 -40/+85 3-15V
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 4,5…15V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
auf Bestellung 314 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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HEF4093BT.653 Produktcode: 37346
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Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
auf Bestellung 266 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.13 EUR |
100+ | 0.11 EUR |
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1N4007 Produktcode: 176822
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 47772 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1200 Stück:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RL207 Produktcode: 86452
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-15
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-15
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 2164 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 200 Stück:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KBP210 (диодный мост) Produktcode: 172118
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Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000 V
I dir: 2 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KPB210G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP154G, KBP155G, KBP156G, KBP157G, KBP101G, KBP102G, KBP103G, KBP104G, KBP105G, KBP106G, KBP107G, KBP005G, KBP01G,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 60 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000 V
I dir: 2 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KPB210G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP154G, KBP155G, KBP156G, KBP157G, KBP101G, KBP102G, KBP103G, KBP104G, KBP105G, KBP106G, KBP107G, KBP005G, KBP01G,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 60 A
auf Bestellung 676 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH