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IRF830PBF

IRF830PBF Siliconix

irl620.pdf
Produktcode: 163342
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
137+1.29 EUR
150+1.19 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
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60+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6848 Stücke:
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54+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.93 EUR
500+1.48 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
77+3.02 EUR
106+2.02 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.13 EUR
50+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1573 Stücke:
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123+1.45 EUR
137+1.29 EUR
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
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60+2.99 EUR
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10202 Stücke:
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10+2.45 EUR
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IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
77+3.02 EUR
106+2.02 EUR
500+1.75 EUR
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.34 EUR
10+4.13 EUR
50+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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RL207
Produktcode: 86452
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GK-DO-15_RL201_THRU_RL207-2025.pdf DO15RL2070A20A.pdf RL201-207%20N0559%20REV.A.pdf
RL207
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-15
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 2 А
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1 В
auf Bestellung: 2958 St.
  • 2958 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
34+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3811 St.
  • 3811 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4069UBT
Produktcode: 23676
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description hef4069ubt.pdf
HEF4069UBT
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-108
Beschreibung: Inverter Sechsfach-Inverter
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 3...15 V
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: NICHT-Gatter (Inverter)
auf Bestellung: 420 St.
  • 420 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.5 EUR
10+0.32 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF
Produktcode: 25094
18 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irf3205-datasheet-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 3617 St.
  • 3617 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Produktcode: 144388
20 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grünLochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grünLochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 50x70 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine doppelseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 432 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: doppelseitig
erwartet: 2000 St.
  • 1000 St. - erwartet 14.01.2027
  • 1000 St. - erwartet 15.03.2027
auf Bestellung: 140 St.
  • 140 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH