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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Produktcode: 3289
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar 1173 Stück:
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Technische Details IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IR

2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

 Ultra-Low-On-Widerstand

 Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       100V

Drainstrom         33A  

Leistung     130W       

Gehäuse    TO220AB  

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   44mΩ       

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    1.1K/W     

Montage   THT  

Gewicht: 1.93 g

Artikelnummer: 3289

Möglichen Substitutionen IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Hersteller : Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
103+0.69 EUR
141+0.51 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
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5000+0.77 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRF540NPBF IRF540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRF540NPBF Hersteller : Infineon irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
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IRF540NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 (MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
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FR207
Produktcode: 24933
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description FR201-FR207.pdf
FR207
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-15
Vrr, V: 1000
Iav, A: 2
Trr, ns: 500
auf Bestellung 1804 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 7043 Stück:
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erwartet 60000 Stück:
60000 Stück - erwartet 07.04.2025
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