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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Name: IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Brand: IR
SKU: 3289
Price: 0.88 EUR
Availability: InStock

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Produktcode: 3289

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT

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Technische Details IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IR

2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Ultra-Low-On-Widerstand

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller Infineon (International Rectifier)

Transistortyp N-MOSFET

Polarisierung unipolar

Transistor-Art HEXFET

Drain-Source Spannung 100V

Drainstrom 33A

Leistung 130W

Gehäuse TO220AB

Gate-Source Spannung 20V

Widerstand im Leitungszustand 44mΩ

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.1K/W

Montage THT

Gewicht: 1.93 g

Artikelnummer: 3289

Möglichen Substitutionen IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF540PBF Produktcode: 182036 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	Hersteller : Siliconix	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A JHGF: THT	auf Bestellung 232 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRF540NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRF540NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf

MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

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100+	1.02 EUR
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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

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IRF540NPBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm

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100+	2.37 EUR

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IRF540NPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)

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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT

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LM317T-DG
Produktcode: 150592

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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C

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FR207
Produktcode: 24933

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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-15
Vrr, V: 1000
Iav, A: 2
Trr, ns: 500

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erwartet 6000 Stück:

6000 Stück - erwartet 18.05.2025

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10+	0.03 EUR
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1000+	0.02 EUR

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

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