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IRF540PBF

IRF540PBF Siliconix

IRF540PBF-datasheet.pdf
Produktcode: 182036
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540NPBF IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 455 St.
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.71 EUR
59+1.46 EUR
60+1.43 EUR
100+1.33 EUR
250+1.24 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
100+2.15 EUR
250+1.98 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
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39+4.44 EUR
80+2.09 EUR
100+1.81 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.44 EUR
80+2.14 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay Semiconductors irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 226-230 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.54 EUR
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IRF540PBF IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.46 EUR
50+3.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
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IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
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50+1.71 EUR
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRF540PBF Транзисторы HEXFET
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 12539 St.
  • 12539 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,9 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-3K9R-Hitano) (S)
Produktcode: 13776
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3,9 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-3K9R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 3,9 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1164 St.
  • 1164 St. - stock Köln
auf Bestellung: 8847 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
auf Bestellung: 24620 St.
  • 24620 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B)
Produktcode: 6360
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Y1_cap_081111.pdf
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 50 V
TKC (Dielektrikum): Y5P
Toleranz: ±10% K
Abmessungen: D<=5 mm
Teilenummer: HB1H102K-L515B
UKTZED: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 2493 St.
  • 2493 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 455 St.
  • 455 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH