IRF540PBF
Produktcode: 22634
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.077
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRF540PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 33 Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 JHGF: THT |
verfügbar: 1623 St.
26 St. - stock Köln
1597 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRF540PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF540PBF Produktcode: 182036
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A JHGF: THT |
auf Bestellung 204 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF540PBF |
IRF540PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| IRF540PBF |
IRF540PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF540PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF540PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF540PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF540PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
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IRF540PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET |
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IRF540PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A |
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