IRF540PBF

IRF540PBF

Produktcode: 22634
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.077
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72

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Technische Details IRF540PBF

Möglichen Substitutionen

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
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IRF540N
IRF540N
Produktcode: 1956
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 44
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
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IRF540
IRF540
Produktcode: 7921
Hersteller: ST
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.077
IRF540, IRF540S.pdf

Preis IRF540PBF ab 1.44 EUR bis 1.44 EUR


Produktcode: 182036
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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IRF540PBF
Hersteller:
IRF540 Power Field Effect Transistor, 100V 28A TO220
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72+ 1.44 EUR
IRF540PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF540PBF THT N channel transistors
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IRF540PBF
IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540PBF
Hersteller:
IRF540PBF
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IRF540PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF540PBF THT N channel transistors
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IRF540PBF
Hersteller:
IRF540 Power Field Effect Transistor, 100V 28A TO220
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IRF540PBF
Hersteller:
IRF540 Power Field Effect Transistor, 100V 28A TO220
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IRF540PBF
IRF540PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET
VISH_S_A0000770096_1-2566739.pdf
auf Bestellung 38647 Stücke
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540PBF
IRF540PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
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