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IRF540PBF

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Produktcode: 22634
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
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IRF540NPBF IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1542 St.
  • 26 St. - stock Köln
  • 1516 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
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IRF540PBF IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
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IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
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IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 107 Stücke:
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IRF540PBF
Produktcode: 182036
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IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
auf Bestellung 195 St.:
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IRF540PBF Транзисторы HEXFET
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IRF540PBF Транзисторы HEXFET
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