IRF830A
Produktcode: 63499
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/24
Montage: THT
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Technische Details IRF830A
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:5A
- On State Resistance:1.4ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:500V
- Max Voltage Vgs th:4V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:74W
- Power Dissipation Pd:74W
- Pulse Current Idm:20A
- Transistor Case Style:TO-220AB
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830A | IR |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF830A |
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Hersteller: IR
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