| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.48 EUR |
| 72+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 2000+ | 1.19 EUR |
| 5000+ | 1.13 EUR |
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Technische Details IRF830APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.
Weitere Produktangebote IRF830APBF nach Preis ab 1.11 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF830APBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 10350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
auf Bestellung 1532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
auf Bestellung 3314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.49 EUR |
| 72+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.33 EUR |
| 5000+ | 1.29 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 2.77 EUR |
| 47+ | 1.81 EUR |
| 59+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 3 EUR |
| 74+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 250+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.32 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 10000+ | 1.54 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 4.97 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 113+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.22 EUR |
| 50+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF830APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)