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IRF830APBF

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91061-datasheet.pdf
Produktcode: 63499
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
JHGF: THT
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1+0.58 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10098 Stücke:
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71+2.04 EUR
72+1.94 EUR
103+1.31 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
10000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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71+2.04 EUR
72+1.95 EUR
102+1.32 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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31+2.32 EUR
48+1.5 EUR
60+1.2 EUR
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500+0.87 EUR
750+0.82 EUR
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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65+2.16 EUR
100+1.75 EUR
250+1.45 EUR
500+1.22 EUR
750+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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10+2.22 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.04 EUR
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830A Hersteller : IR 91061.pdf
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IRF830APBF IRF830APBF Hersteller : Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF830APBF IRF830APBF.pdf N-кан. MOSFET 500V, 5.0A, 1.4Ом, 100Вт, TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF830APBF Hersteller : Vishay/IR IRF830APBF.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,9 A, Ptot, Вт = 100 W, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 3 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRF830A IRF830A Hersteller : Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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IRF830A IRF830A Hersteller : Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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