IRF830APBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 1.49 EUR |
| 93+ | 0.78 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF830APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF830APBF nach Preis ab 0.58 EUR bis 7.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF830A | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 190-194 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 48757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IRF830A | Hersteller : IR |
|
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| IRF830A | Hersteller : IR |
TO-220 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
IRF830APBF Produktcode: 63499
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 5 A Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Bem.: 620/24 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF830APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830A | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830A | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |