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Technische Details IRF830BPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRF830BPBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF830BPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF830BPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised |
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IRF830BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF830BPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRF830BPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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