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IRF830PBF

IRF830PBF

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Produktcode: 17846
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
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IRF830PBF IRF830PBF
Produktcode: 163342
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Siliconix irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
auf Bestellung 42 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF830PBF
Produktcode: 163342
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IRF830PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.03 EUR
100+1.65 EUR
500+1.33 EUR
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2000+1.12 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 56 Stücke:
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IRF830 IRF830 JSMicro Semiconductor info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.45 EUR
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.57 EUR
117+1.49 EUR
150+1.42 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
73+1.17 EUR
85+1.01 EUR
90+0.95 EUR
100+0.92 EUR
150+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 IRF830 Siliconix info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 IRF830 Vishay info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.12 EUR
125+1.36 EUR
135+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.12 EUR
125+1.39 EUR
135+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.28 EUR
121+1.4 EUR
132+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 2308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
50+3.09 EUR
100+2.8 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.53 EUR
10+2.03 EUR
100+1.65 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
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IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.45 EUR
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+1.57 EUR
117+1.49 EUR
150+1.42 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.94 EUR
73+1.17 EUR
85+1.01 EUR
90+0.95 EUR
100+0.92 EUR
150+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+2.12 EUR
125+1.36 EUR
135+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+2.12 EUR
125+1.39 EUR
135+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.28 EUR
121+1.4 EUR
132+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 2308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+3.09 EUR
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1000+2.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH