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IRF8313PBF

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Produktcode: 23488
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 09.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.015
Ciss, pF/Qg, nC: 01.06.760
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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Technische Details IRF8313PBF IR

  • MOSFET,DUAL N-CH 30V 9.7A SO8
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:9.7A
  • On State Resistance:15.5mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • No. of Pins:8
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF8313PBF International Rectifier irf8313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d38521d63 description SO-8 Транзистори
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IRF8313PBF IRF8313PBF Infineon Technologies irf8313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d38521d63 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF8313PBF IRF8313PBF Infineon Technologies irf8313pbf.pdf description MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
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Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
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IRF8313PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
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Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF8313PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
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    erwartet: 30000 St.
    • 30000 St. - erwartet
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    Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
    Anzahl Kontakte: -
    2,54 mm
    Серія роз’єма: Контакти для HU
    Монтаж: на провід
    verfügbar: 35 St.
      erwartet: 100000 St.
      • 100000 St. - erwartet 22.10.2026
      AnzahlPreis
      1+0.02 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Resistenz: 220 kOhm
      Präzision: ±5% J
      P Nenn.,W: 0,125W
      U Betriebs.,V: 150V
      Größe Typ: 0805
      auf Bestellung 17305 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPreis
      10+0.0038 EUR
      100+0.0024 EUR
      1000+0.0017 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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      		RC_series.pdf
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      verfügbar: 6209 St.
      • 1200 St. - stock Köln
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      Mindestbestellmenge: 10 St.
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