| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 3.11 EUR |
| 78+ | 1.79 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF840APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF840APBF nach Preis ab 0.67 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840A Produktcode: 35892
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 8 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 JHGF: THT |
verfügbar: 305 St.
5 St. - stock Köln
300 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| IRF840APBF |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840APBF Produktcode: 53900
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 8 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
IRF840APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
Produkt ist nicht verfügbar |





