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IRF840A

Name: IRF840A
Brand: IR
SKU: 35892
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 35892

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT

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Technische Details IRF840A IR

MOSFET, N TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Cont Current Id:8A
On State Resistance:0.85ohm
Case Style:TO-220AB
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Voltage Vds:500V
Max Voltage Vgs th:4V
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation:125W
Power Dissipation Pd:125W
Pulse Current Idm:32A
Transistor Case Style:TO-220AB

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

IRF840APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF840APBF

Hersteller : Vishay/IR

TO-220AB

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IRF840APBF
Produktcode: 53900

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Hersteller : Vishay

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT

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IRF840APBF

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0019267830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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IRF840APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF840APBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V

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IRF840APBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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IRF840APBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

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Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 220 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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TLP627
Produktcode: 31733

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Hersteller: China
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
Ton/Toff, µs: -
Роб.темп.,°С: -

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1N5363B
Produktcode: 14743

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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 30
Istab.direkt,A: 0,167
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -

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BZX85-C9V1
Produktcode: 18217

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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 25mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -

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