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IRF840A

IRF840A

91065.pdf
Produktcode: 35892
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
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Technische Details IRF840A IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:8A
  • On State Resistance:0.85ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:500V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:32A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF840APBF IRF840APBF
Produktcode: 53900
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Hersteller : Vishay 91065.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840A Hersteller : Siliconix 91065.pdf Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
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IRF840A 91065.pdf MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
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IRF840APBF Hersteller : Vishay/IR 91065.pdf TO-220AB
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IRF840A IRF840A Hersteller : Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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IRF840A IRF840A Hersteller : Vishay / Siliconix 91065.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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IRF840APBF IRF840APBF Hersteller : VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123704
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dvk10000k-datasheet.pdf
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 220 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2450 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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TLP627
Produktcode: 31733
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description tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Hersteller: China
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
Ton/Toff, µs: -
Роб.темп.,°С: -
auf Bestellung 2319 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5363B
Produktcode: 14743
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1n5345b-1n5388b.pdf
1N5363B
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 30
Istab.direkt,A: 0,167
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
auf Bestellung 1269 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.18 EUR
10+0.17 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C9V1
Produktcode: 18217
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BZX85C.pdf
BZX85-C9V1
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 25mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
auf Bestellung 788 Stück:
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