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IRF840ASPBF (NPN-Bipolartransistor)

Produktcode: 43368
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.92 EUR
100+2.64 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.64 EUR
30+2.89 EUR
34+2.57 EUR
50+1.98 EUR
100+1.81 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.24 EUR
54+3.22 EUR
100+2.89 EUR
250+2.61 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.46 EUR
61+2.82 EUR
100+2.49 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 11169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.34 EUR
10+3.2 EUR
100+2.68 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.95 EUR
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1907 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
61+2.92 EUR
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500+1.61 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
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30+2.89 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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AnzahlPrivatkunde
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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AnzahlPrivatkunde
33+5.46 EUR
61+2.82 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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10+3.2 EUR
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500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.95 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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