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IRF840BPBF-BE3

IRF840BPBF-BE3 Vishay / Siliconix

irf840b.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CH HEXFET
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Technische Details IRF840BPBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V.

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IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
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IRF840BPBF-BE3 Hersteller : Vishay irf840b.pdf N Channel MOSFET
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IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Hersteller : Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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