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IRF840PBF

IRF840PBF Siliconix

irf840pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 182602
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
Montage: THT
auf Bestellung 189 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
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134+1.32 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
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1000+1.63 EUR
5000+1.56 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
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1000+1.63 EUR
5000+1.59 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3825 Stücke:
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59+3.03 EUR
77+2.26 EUR
100+2.09 EUR
250+1.88 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 8733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
50+4.2 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.92 EUR
2000+2.74 EUR
5000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRF840PBF Vishay/IR IRF840_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 12 Stücke:
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 221455
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vishay IRF840PBF.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 500 V
Sättigungsspannung Vce, V: 8 A
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 0,85 Ohm
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 1300/63
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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  • 200 St. - erwartet 25.07.2026
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3825 Stücke:
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30+2.89 EUR
41+2.09 EUR
47+1.83 EUR
61+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.21 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+2.64 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.49 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
134+1.32 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.63 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3825 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
59+3.03 EUR
77+2.26 EUR
100+2.09 EUR
250+1.88 EUR
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRF840PBF IRF840_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF840PBF
Produktcode: 221455
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IRF840PBF
Hersteller: vishay
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 500 V
Sättigungsspannung Vce, V: 8 A
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 0,85 Ohm
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 1300/63
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: THT
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erwartet: 200 St.
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IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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AnzahlPrivatkunde
30+2.89 EUR
41+2.09 EUR
47+1.83 EUR
61+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.21 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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1+4.71 EUR
10+2.64 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
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TLP627
Produktcode: 31733
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description tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Hersteller: China
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 60/150 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 300 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: -
Betriebstemperatur, °C: -
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung 1762 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0A, Rdc max=0.5 Ohm, radiale Anschlüsse, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123704
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dvk10000k-datasheet.pdf
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0A, Rdc max=0.5 Ohm, radiale Anschlüsse, d=9mm, h=12mm)
Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 220 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf Ferrithantel, 220µH±10%, Idc=1.0A, Rdc max=0.5 Ohm, Radialanschlüsse, d=9mm, h=12mm
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
auf Bestellung 840 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV26C
Produktcode: 4089
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BYV26 series.pdf
BYV26C
Hersteller: Yangjie/LGE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 30 ns
Montage: THT
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 275 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.42 EUR
    10+0.38 EUR
    100+0.36 EUR
    1000+0.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    4,7uF 350V E°CR 10x13mm (E°CR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 3132
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    		ECR_081225.pdf
    4,7uF 350V E°CR 10x13mm (E°CR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 4,7 µF
    Nennspannung: 350 V
    Reihe: ECR
    Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
    Temperaturbereich: -25...+85°C
    Abmessungen: 10x13 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    auf Bestellung 1137 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 50 St.:
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.12 EUR
    10+0.1 EUR
    100+0.064 EUR
    1000+0.058 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HER106
    Produktcode: 111035
    3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
    auf Bestellung 49 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH