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IRF840PBF

IRF840PBF Siliconix

irf840pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 182602
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 170 Stück:
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 31523
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Hersteller : IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
JHGF: THT
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1+0.46 EUR
10+0.4 EUR
100+0.36 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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135+1.08 EUR
136+1.03 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2521 Stücke:
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122+1.19 EUR
135+1.04 EUR
136+0.99 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 156105
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Hersteller : Vishay irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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65+1.1 EUR
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250+0.99 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5423 Stücke:
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2+2.22 EUR
10+1.71 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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8+2.22 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF840PBF Hersteller : Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Infineon Technologies 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Infineon Technologies irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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TLP627
Produktcode: 31733
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description tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
Ton/Toff, µs: -
Роб.темп.,°С: -
auf Bestellung 1675 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
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4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3132
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ECR_081225.pdf
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.054 EUR
1000+0.049 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV26C
Produktcode: 4089
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BYV26 series.pdf
BYV26C
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 30
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 994 Stück
275 Stück - stock Köln
719 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.35 EUR
10+0.32 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123704
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dvk10000k-datasheet.pdf
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 220 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
auf Bestellung 404 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
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20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 161 Stück
erwartet: 14900 Stück
14900 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH