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IRF840PBF

IRF840PBF

irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
Produktcode: 31523
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
JHGF: THT
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1+0.46 EUR
10+0.4 EUR
100+0.36 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 182602
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Hersteller : Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 398 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 182602
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Hersteller : Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.26 EUR
116+1.21 EUR
121+1.11 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 115
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4984 Stücke:
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Anzahl Preis
114+1.27 EUR
115+1.21 EUR
120+1.12 EUR
500+1 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+1.62 EUR
91+1.54 EUR
100+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 156105
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Hersteller : Vishay irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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Anzahl Preis
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10812 Stücke:
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2+2.52 EUR
10+1.76 EUR
100+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1129 Stücke:
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7+2.52 EUR
50+1.83 EUR
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500+1.74 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF Hersteller : Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Infineon Technologies 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Infineon Technologies irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF840PBF IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF Hersteller : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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LT1083CP
Produktcode: 122359
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description 108345fh-datasheet.pdf
Hersteller: Linear
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO3P
Uin, V: 30 V
Uout,V: 1,2...34 V
Iout,A: 7,5 A
Udrop, V: 1,5 V
ZCODE: THT
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MC33152DR2G
Produktcode: 34999
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ddewd4.pdf
MC33152DR2G
Hersteller: ON
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 1,5
V out, V: 1,8-10,8
T on/T off, ns: 120/120
Bemerkung: HALF-BRIDGE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
auf Bestellung 153 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.78 EUR
10+0.71 EUR
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0,22 Ohm 5% 3W (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Produktcode: 33178
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MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 0,22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
verfügbar: 639 Stück
187 Stück - stock Köln
452 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.072 EUR
10+0.056 EUR
100+0.049 EUR
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IR2153PBF
Produktcode: 23423
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description IR2153D,S,PBF.pdf
IR2153PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,1/0,1 A
V out, V: 15,6
T on/T off, ns: 80/40
Bemerkung: SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 95 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.83 EUR
10+0.74 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH