Technische Details IRF840PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Möglichen Substitutionen IRF840PBF Vishay
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF840PBF Produktcode: 182602
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: THT |
auf Bestellung 226 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF840PBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 5.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRF840PBF Produktcode: 182602
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: THT |
auf Bestellung 226 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF840PBF Produktcode: 31523
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 8 Rds(on), Ohm: 0.85 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF840PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF840PBF |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 5041 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| IRF840PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 12 Stücke: |
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IRF840PBF Produktcode: 156105
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF840PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF840PBF |
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF840PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF840PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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