IRF840PBF (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRF840PBF

IRF840PBF

Produktcode: 31523
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
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Technische Details IRF840PBF

Preis IRF840PBF ab 0.3 EUR bis 0.46 EUR


Produktcode: 156105
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Produktcode: 182602
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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IRF840PBF
Hersteller: VHY

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IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF840PBF THT N channel transistors
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IRF840PBF
IRF840PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF
IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller:
IRF840PBF
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IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF840PBF THT N channel transistors
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IRF840PBF
Hersteller:
IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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Hersteller:
IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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Hersteller:
IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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Hersteller:
IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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Hersteller:
IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF
IRF840PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
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IRF840PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR >= 100V
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF
IRF840PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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IRF840PBF
IRF840PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
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TLP627
Produktcode: 31733		 техническая информация tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Hersteller: Toshiba
IC - Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
auf Bestellung 90 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYV26C
Produktcode: 4089		 BYV26 series.pdf
BYV26C
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 30
ZCODE: 8541 10 00 10
275 Stück - stock Köln
2042 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+ 0.35 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.1 EUR
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3132		 ECR_081225.pdf
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
8532 22 00 00
1538 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.1 EUR
10+ 0.088 EUR
100+ 0.054 EUR
1000+ 0.049 EUR