IRF840PBF (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
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Technische Details IRF840PBF
Preis IRF840PBF ab 0.36 EUR bis 0.46 EUR
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Produktcode: 156105 Hersteller: Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld 
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRF840PBF - Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Through Hole Transistor Polarity: N Channel On Resistance Rds(on): 0.85 Product Range: - Power Dissipation Pd: 125 Continuous Drain Current Id: 8 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - Threshold Voltage Vgs: 4 Drain Source Voltage Vds: 500 Transistor Case Style: TO-220AB Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 No. of Pins: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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 Hersteller: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF Hersteller: IRF840PBF
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auf Bestellung 413 Stücke  Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF840PBF Hersteller: VHY IRF840PBF
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auf Bestellung 45 Stücke Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF840PBF Hersteller: VHY IRF840PBF Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 5700 Stücke Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: VISHAY Material: IRF840PBF THT N channel transistors
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: IRF840PBF
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auf Bestellung 680 Stücke Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: IRF840 MOSFET, N-CHANNEL 500V 0.75W 8A, TO-220
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IRF840PBF Hersteller: Vishay/IR N-. MOSFET 500V, 8A, 0.85, 125, TO-220AB
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auf Bestellung 15 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 500V N-CH HEXFET
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auf Bestellung 13977 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF840PBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies MOSFET PLANAR >= 100V
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IRF840PBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tube Manufacturer: Vishay Siliconix Base Part Number: IRF840 Package / Case: TO-220-3 Supplier Device Package: TO-220AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
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 Hersteller: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Manufacturer: Infineon Technologies Packaging: Tube Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3
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Mit diesem Produkt kaufen
| TLP627 Produktcode: 31733 |
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Hersteller: Toshiba
IC - Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
1918 Stück - lieferbar in 3-4 WochenIC - Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 300
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| BYV26C Produktcode: 4089 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 30
ZCODE: 8541 10 00 10
275 Stück - stock KölnDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 30
ZCODE: 8541 10 00 10
3875 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 9089 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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| 4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 3132 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
8532 22 00 00
3000 Stück - erwartet 30.12.2021Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
8532 22 00 00