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IRF8734TRPBF

IRF8734TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF8734TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
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269+0.53 EUR
303+0.45 EUR
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267+0.53 EUR
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
55+1.32 EUR
79+0.91 EUR
150+0.48 EUR
158+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
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11+1.60 EUR
16+1.11 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.66 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
4000+0.50 EUR
8000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF8734_DataSheet_v01_01_EN-3362988.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
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2+1.83 EUR
10+1.25 EUR
100+0.94 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.64 EUR
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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