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IRF8788PBF

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Produktcode: 32111
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
Montage: SMD
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Technische Details IRF8788PBF IR

  • MOSFET, N-CH, 30V, SO8
  • Transistor Polarity:N
  • On State Resistance:2.3mohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SO
  • Case Style:SO-8
  • Cont Current Id:24A
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • Min Voltage Vgs th:1.35V
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 description Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
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IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf description MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
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IRF8788PBF description irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
IRF8788PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
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IRF8788PBF description Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf
IRF8788PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
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Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 211 St.
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Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 32 St.
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Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 0,5 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -20...80°C
Montage: THT
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Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 250 St.
  • 250 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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