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IRF8788PBF

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Produktcode: 32111
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 24
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
JHGF: SMD
auf Bestellung 68 Stück:
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Technische Details IRF8788PBF IR

  • MOSFET, N-CH, 30V, SO8
  • Transistor Polarity:N
  • On State Resistance:2.3mohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SO
  • Case Style:SO-8
  • Cont Current Id:24A
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • Min Voltage Vgs th:1.35V
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF8788PBF IRF8788PBF Hersteller : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
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IRF8788PBF IRF8788PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
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Iout,A: 1
Udrop, V: 0.5
Bemerkung: ON/OFF SWITCH
Temperaturbereich: -20…80
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Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.07.700
Bem.: 2N
JHGF: SMD
verfügbar: 64 Stück
12 Stück - stock Köln
52 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 Stück
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
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Iout,A: 1 А
Bemerkung: Регульований
auf Bestellung 253 Stück:
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